সাম্প্রতিক বছরগুলিতে ক্যাপাসিটরের প্রকারের বৈচিত্র্যময় সংগ্রহ খুব বেশি পরিবর্তিত হয়নি, তবে অ্যাপ্লিকেশনগুলি অবশ্যই রয়েছে। এই নিবন্ধে, আমরা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে কীভাবে ক্যাপাসিটার ব্যবহার করা হয় তা দেখি এবং উপলব্ধ প্রযুক্তির তুলনা করি। ফিল্ম ক্যাপাসিটার আসন্ন অ্যাপ্লিকেশন যেমন তাদের সুবিধা দেখাচ্ছে বৈদ্যুতিক যানবাহন , বিকল্প- নেটিভ শক্তি শক্তি রূপান্তর, এবং ড্রাইভে ইনভার্টার . যাইহোক, অ্যালুমিনিয়াম (আল) ইলেক্ট্রোলাইটিক্স এখনও গুরুত্বপূর্ণ যখন শক্তি সঞ্চয় ঘনত্ব প্রধান প্রয়োজন।
আল ইলেক্ট্রোলিটিক নাকি ফিল্ম ক্যাপাসিটর?
এটা খারিজ করা সহজ আল ইলেক্ট্রোলাইটিক্স গতকালের প্রযুক্তি হিসাবে, তবে তাদের এবং ফিল্ম বিকল্পের মধ্যে পারফরম্যান্সের পার্থক্য সবসময় এতটা স্পষ্ট নয়। সঞ্চিত শক্তির ঘনত্বের পরিপ্রেক্ষিতে, যেমন, জুল/ঘন সেন্টিমিটার, তারা এখনও স্ট্যান্ডার্ড ফিল্ম ক্যাপাসিটরের চেয়ে এগিয়ে, যদিও বহিরাগত রূপগুলি যেমন সেগমেন্টেড হাই-ক্রিস্টালাইন ধাতব পলিপ্রোপিলিন তুলনীয়। এছাড়াও, আল ইলেক্ট্রোলাইটিক্স প্রতিযোগী ফিল্ম ক্যাপাসিটরের চেয়ে উচ্চ তাপমাত্রায় তাদের রিপল-কারেন্ট রেটিং বজায় রাখে। এমনকি অনুভূত জীবন এবং নির্ভরযোগ্যতার সমস্যাগুলিও ততটা তাৎপর্যপূর্ণ নয় যখন আল ইলেক্ট্রোলাইটিক্স যথাযথভাবে ডিরেটেড হয়। আল ইলেক্ট্রোলাইটিক্স এখনও খুব আকর্ষণীয় যেখানে ব্যাটারি ব্যাক-আপ ছাড়াই পাওয়ার বিভ্রাটে ডিসি বাস ভোল্টেজের রাইড-থ্রু প্রয়োজন। উদাহরণস্বরূপ, যখন খরচ একটি ড্রাইভিং ফ্যাক্টর হয়, তখন পণ্য অফ-লাইন পাওয়ার সাপ্লাইতে বাল্ক ক্যাপাসিটর থেকে ফিল্ম ক্যাপাসিটারগুলি গ্রহণ করার অনুমান করা বিশেষত কঠিন।
ফিল্ম অনেক উপায়ে জিতেছে
অন্যান্য ক্যাপাসিটরের তুলনায় ফিল্ম ক্যাপাসিটরগুলির বেশ কয়েকটি উল্লেখযোগ্য সুবিধা রয়েছে: সমতুল্য সিরিজ রেজিস্ট্যান্স (ESR) রেটিংগুলি নাটকীয়ভাবে কম হতে পারে, যার ফলে আরও ভাল রিপলকারেন্ট পরিচালনা করা যায়। সার্জ-ভোল্টেজ রেটিংগুলিও উচ্চতর, এবং সম্ভবত সবচেয়ে উল্লেখযোগ্যভাবে, ফিল্ম ক্যাপাসিটারগুলি স্ব-নিরাময় করতে পারে
ডুমুর 1 ক্যাপাসিটর ফিল্ম বৈশিষ্ট্য.
ডুমুর 2 পলিপ্রোপিলিন ফিল্মের তাপমাত্রার সাথে ডিএফ-এর তারতম্য।
স্ট্রেসের পরে, উন্নত সিস্টেম নির্ভরযোগ্যতা এবং জীবনকালের দিকে পরিচালিত করে। যাইহোক, স্ব-নিরাময় করার ক্ষমতা চাপের স্তর, সর্বোচ্চ মান এবং পুনরাবৃত্তির হারের উপর নির্ভর করে। অতিরিক্তভাবে, ফল্ট ক্লিয়ারিংয়ের সময় উত্পন্ন প্লাজমা আর্ক থেকে কার্বন জমা এবং সমান্তরাল ক্ষতির কারণে চূড়ান্ত বিপর্যয়মূলক ব্যর্থতা এখনও সম্ভব। এই বৈশিষ্ট্যগুলি বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং বিকল্প শক্তি ব্যবস্থায় শক্তি রূপান্তরের আধুনিক প্রয়োগের সাথে মেলে যেখানে বিভ্রাট বা লাইন-ফ্রিকোয়েন্সি রিপল পিকগুলির মধ্যে কোন ধরে রাখার প্রয়োজন নেই। প্রধান প্রয়োজনীয়তা হল উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি রিপল স্রোত উৎস এবং ডুবানোর ক্ষমতা যা সহনীয় ক্ষতি এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা বজায় রেখে হাজার হাজার amps না হলেও শত শত পৌঁছাতে পারে। প্রদত্ত বিদ্যুতের স্তরে ওমিক ক্ষয়ক্ষতি কমাতে উচ্চ বাস ভোল্টেজের আন্দোলনও রয়েছে। এর অর্থ হল প্রায় 550 V এর অন্তর্নিহিত সর্বাধিক ভোল্টেজ রেটিং সহ আল ইলেক্ট্রোলাইটিক্সের একটি সিরিজ সংযোগ। ভোল্টেজের ভারসাম্যহীনতা এড়াতে, মিলিত মান সহ ব্যয়বহুল ক্যাপাসিটারগুলি বেছে নেওয়া এবং তাদের সম্পর্কিত ক্ষতি এবং ব্যয়ের সাথে ভোল্টেজ ব্যালেন্সিং প্রতিরোধক ব্যবহার করা প্রয়োজন হতে পারে।
নির্ভরযোগ্যতার সমস্যাটি সোজা নয়, যদিও, নিয়ন্ত্রিত অবস্থায়, ইলেক্ট্রোলাইটিক্স পাওয়ার ফিল্মের সাথে তুলনীয়, যার অর্থ ক্ষতি হওয়ার আগে তারা সাধারণত মাত্র 20% ওভারভোল্টেজ সহ্য করবে। বিপরীতে, ফিল্ম ক্যাপাসিটর সীমিত সময়ের জন্য সম্ভবত 100% ওভারভোল্টেজ সহ্য করতে পারে। ব্যর্থ হলে, ইলেক্ট্রোলাইটিক্স শর্ট-সার্কিট এবং বিস্ফোরণ ঘটাতে পারে, একটি বিপজ্জনক ইলেক্ট্রোলাইট নিঃসরণ সহ সিরিজ/সমান্তরাল উপাদানগুলির পুরো ব্যাঙ্ককে নিয়ে যায়। ফিল্ম ক্যাপাসিটারগুলিও স্ব-নিরাময় করতে পারে, তবে মাঝে মাঝে চাপের খাঁটি অবস্থার অধীনে সিস্টেমের নির্ভরযোগ্যতা দুটি ধরণের মধ্যে খুব আলাদা হতে পারে। সমস্ত উপাদানগুলির মতো, উচ্চ আর্দ্রতার মাত্রা ফিল্ম ক্যাপাসিটরের কর্মক্ষমতা হ্রাস করতে পারে এবং, সর্বোত্তম নির্ভরযোগ্যতার জন্য, এটি ভালভাবে নিয়ন্ত্রণ করা উচিত। আরেকটি ব্যবহারিক পার্থক্য হল ফিল্ম ক্যাপাসিটর মাউন্ট করার সহজতা—এগুলি সাধারণ গোলাকার ধাতব ক্যানগুলির তুলনায় স্ক্রু টার্মিনাল থেকে শুরু করে লাগস, ফাস্টন এবং বাস বার পর্যন্ত বিভিন্ন বৈদ্যুতিক সংযোগ বিকল্পগুলির সাথে ইনসুলেটেড, ভলিউমেট্রিকভাবে দক্ষ আয়তক্ষেত্রাকার বক্স ঘেরে পাওয়া যায়। ইলেক্ট্রোলাইটিক্স ননপোলার ডাইলেকট্রিক ফিল্ম বিপরীত-প্রুফ মাউন্টিং দেয় এবং যেখানে এসি প্রয়োগ করা হয়, যেমন ইনভার্টার-আউটপুট ফিল্টারিং-এ ব্যবহার করার অনুমতি দেয়।
অবশ্যই, অনেক ফিল্ম ক্যাপাসিটর ডাইলেক্ট্রিক প্রকার উপলব্ধ রয়েছে এবং চিত্র 1 তাদের তুলনামূলক পারফরম্যান্সের একটি সারাংশ দেয় [1]। পলিপ্রোপিলিন ফিল্ম সামগ্রিক বিজয়ী যখন চাপের মধ্যে ক্ষতি এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রধান বিবেচ্য কারণ এটির কম DF এবং প্রতি ইউনিট বেধ উচ্চ ডাইলেক্ট্রিক ব্রেকডাউন। অন্যান্য ফিল্মগুলি তাপমাত্রা রেটিং এবং ক্যাপাসিট্যান্স/ভলিউমের জন্য আরও ভাল হতে পারে, উচ্চতর অস্তরক ধ্রুবক এবং পাতলা ফিল্ম প্রাপ্যতা সহ, এবং, কম ভোল্টেজে, পলিয়েস্টার এখনও সাধারণ ব্যবহারে রয়েছে। ডিএফ বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ এবং ইএসআর/ক্যাপাসিটিভ বিক্রিয়া হিসাবে সংজ্ঞায়িত করা হয় এবং এটি সাধারণত 1 kHz এবং 25 °C এ নির্দিষ্ট করা হয়। অন্যান্য ডাইলেক্ট্রিকের তুলনায় একটি কম ডিএফ কম গরম হওয়া বোঝায় এবং এটি প্রতি মাইক্রোফ্যারাডের ক্ষতির তুলনা করার একটি উপায়। ফ্রিকোয়েন্সি এবং তাপমাত্রার সাথে ডিএফ সামান্য পরিবর্তিত হয়, তবে পলিপ্রোপিলিন সর্বোত্তম কার্য সম্পাদন করে। চিত্র 2 এবং 3 সাধারণ প্লটগুলি দেখায়।
দুটি প্রধান ধরনের ফিল্ম ক্যাপাসিটর নির্মাণ রয়েছে যা ফয়েল এবং জমা ধাতবকরণ ব্যবহার করে, যেমন চিত্র 4-এ দেখানো হয়েছে। প্রায় 5-nm পুরু ধাতব ফয়েল সাধারণত উচ্চ শিখর-কারেন্ট ক্ষমতার জন্য অস্তরক স্তরগুলির মধ্যে ব্যবহৃত হয়, তবে এটি স্বয়ংক্রিয়ভাবে নয়। - মানসিক চাপ সহ্য করার পরে নিরাময় করুন। ধাতব ফিল্ম একটি ভ্যাকুয়াম দ্বারা গঠিত হয় এবং সাধারণত 1,200 °C এ আল জমা করে ফিল্মের উপর মোটামুটি 20-50 nm পুরুত্বের সাথে ফিল্মের তাপমাত্রা −25 থেকে −35 °C পর্যন্ত থাকে,
ডুমুর 3 পলিপ্রোপিলিন ফিল্মের ফ্রিকোয়েন্সি সহ ডিএফ-এর প্রকরণ।
ডুমুর 4 ফিল্ম ক্যাপাসিটর নির্মাণ
যদিও দস্তা (Zn) এবং Al-Zn মিশ্রণগুলিও ব্যবহার করা যেতে পারে। এই প্রক্রিয়াটি স্ব-নিরাময়কে সক্ষম করে, যেখানে ডাইইলেকট্রিক জুড়ে যেকোন সময়ে ভাঙ্গনের ফলে স্থানীয়ভাবে তীব্র গরম হয়, সম্ভবত 6,000 °C পর্যন্ত, যার ফলে একটি প্লাজমা তৈরি হয়। ব্রেকডাউন চ্যানেলের চারপাশে ধাতবকরণ বাষ্পীভূত হয়, প্লাজমার দ্রুত প্রসারণের ফলে স্রাব নির্গমন হয়, যা ত্রুটিটিকে আলাদা করে এবং ক্যাপাসিটরটিকে সম্পূর্ণরূপে কার্যকরী করে। ক্যাপাসিট্যান্সের হ্রাস ন্যূনতম কিন্তু সময়ের সাথে সংযোজন করে, এটি উপাদানটির বার্ধক্যের একটি দরকারী সূচক করে তোলে।
আরও নির্ভরযোগ্যতা বৃদ্ধির জন্য একটি সাধারণ পদ্ধতি হল ফিল্মের মেটালাইজেশনকে এলাকায় ভাগ করা, সম্ভবত লক্ষ লক্ষ, সরু গেটগুলি সেগমেন্টগুলিতে কারেন্ট সরবরাহ করে এবং স্থূল ওভারলোডের জন্য ফিউজ হিসাবে কাজ করে। ধাতবকরণের মোট বর্তমান পথের সংকীর্ণতা উপাদানটির সর্বোচ্চ বর্তমান হ্যান্ডলিংকে হ্রাস করে, কিন্তু অতিরিক্ত নিরাপত্তা মার্জিন প্রবর্তন ক্যাপাসিটরকে উচ্চ ভোল্টেজগুলিতে কার্যকরভাবে রেট দেওয়া অনুমতি দেয়।
আধুনিক পলিপ্রোপিলিনের ডাইইলেক্ট্রিক শক্তি প্রায় 650 V/µm এবং এটি প্রায় 1.9 µm এবং তার বেশি পুরুত্বে পাওয়া যায়, তাই বেশ কয়েকটি কিলোভোল্ট পর্যন্ত ক্যাপাসিটর ভোল্টেজের রেটিং নিয়মিতভাবে অর্জনযোগ্য, কিছু অংশ এমনকি 100 kV রেট করা হয়। যাইহোক, উচ্চ ভোল্টেজে, আংশিক স্রাবের ঘটনা (পিডি), যা করোনা স্রাব নামেও পরিচিত, একটি ফ্যাক্টর হয়ে ওঠে। PD হল প্রচুর পরিমাণে উপাদান বা উপাদানের স্তরগুলির মধ্যে বায়ুর ফাঁকে মাইক্রোভয়েডগুলির উচ্চ-ভোল্টেজ ভাঙ্গন, যার ফলে মোট অন্তরক পথের আংশিক শর্ট সার্কিট হয়। PD (করোনা স্রাব) একটি সামান্য কার্বন ট্রেস ছেড়ে; প্রাথমিক প্রভাবটি অলক্ষিত কিন্তু সময়ের সাথে সাথে জমতে পারে যতক্ষণ না দুর্বল, কার্বন-ট্রেসড নিরোধকের স্থূল এবং আকস্মিক ভাঙ্গন ঘটে। প্রভাবটি চিত্র 5-এ দেখানো Paschen বক্ররেখা দ্বারা বর্ণনা করা হয়েছে এবং এর একটি বৈশিষ্ট্যযুক্ত সূচনা এবং বিলুপ্তি ভোল্টেজ রয়েছে। চিত্রটি দুটি উদাহরণ ক্ষেত্রের শক্তি দেখায়। Paschen বক্ররেখার উপরে বিন্দু, A, একটি PD ব্রেকডাউন তৈরি করতে পারে।
ডুমুর 5 Paschen বক্ররেখা এবং উদাহরণ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি.
প্রভাব মোকাবেলা করার জন্য, খুব উচ্চ ভোল্টেজ-রেটেড ক্যাপাসিটরগুলি স্তর ইন্টারফেস থেকে বায়ু বাদ দেওয়ার জন্য তেল গর্ভবতী। নিম্ন-ভোল্টেজের ধরনগুলি রজনে ভরা থাকে, যা যান্ত্রিক দৃঢ়তার সাথেও সাহায্য করে। আরেকটি সমাধান হল একক হাউজিং-এ সিরিজ ক্যাপাসিটার তৈরি করা, কার্যকরভাবে প্রতিটি জুড়ে ভোল্টেজ ড্রপকে ইনসেপশন ভোল্টেজের নীচে কমিয়ে আনা। বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের তীব্রতার কারণে PD একটি প্রভাব, তাই ভোল্টেজ গ্রেডিয়েন্ট কমাতে ডাইলেক্ট্রিক পুরুত্ব বাড়ানো সবসময় সম্ভব কিন্তু ক্যাপাসিটরের সামগ্রিক আকার বৃদ্ধি করে। ক্যাপাসিটর ডিজাইন রয়েছে যা ফয়েল এবং মেটালাইজেশনকে একত্রিত করে সর্বোচ্চ বর্তমান ক্ষমতা এবং স্ব-নিরাময়ের মধ্যে একটি আপস প্রদান করে। ধাতবকরণকে ক্যাপাসিটরের প্রান্ত থেকেও গ্রেড করা যেতে পারে যাতে প্রান্তে ঘন উপাদানটি সোল্ডারিং বা ঢালাইয়ের মাধ্যমে আরও ভাল কারেন্ট পরিচালনা এবং আরও শক্তিশালী সমাপ্তি দেয় এবং গ্রেডিং ক্রমাগত বা ধাপে ধাপে হতে পারে।
এটি, সম্ভবত, একধাপ পিছিয়ে যাওয়া এবং আল-ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার ব্যবহার করা কীভাবে সুবিধাজনক তা পর্যবেক্ষণ করা দরকারী। একটি উদাহরণ হল 90%-দক্ষ, 1-কিলোওয়াট অফ-লাইন কনভার্টারে একটি পাওয়ার-ফ্যাক্টর-সংশোধিত ফ্রন্ট এন্ড, 20-এমএস যাত্রার প্রয়োজন, যেমন চিত্র 6-এ দেখানো হয়েছে। এতে সাধারণত একটি অভ্যন্তরীণ ডিসি বাস থাকবে নামমাত্র ভোল্টেজ, Vn, 400 V এবং একটি ড্রপ-আউট ভোল্টেজ, Vd, 300 V, যার নিচে আউটপুট নিয়ন্ত্রণ হারিয়ে গেছে
বাল্ক ক্যাপাসিটর C1 নির্দিষ্ট রাইড-থ্রু সময়ে ধ্রুবক আউটপুট শক্তি বজায় রাখার জন্য শক্তি সরবরাহ করে কারণ বাসের ভোল্টেজ বিভ্রাটের পরে 400 থেকে 300 V পর্যন্ত নেমে যায়। গাণিতিকভাবে, Po t/h =1/2 C(Vn²-Vd²) অথবা C=2*1000*0.02/0.9*(400²-300²) = 634nF 450 V রেটিং এ।
যদি আল-ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার ব্যবহার করা হয়, তাহলে সমীকরণটি মোটামুটি 52 সেমি 3 (অর্থাৎ, 3 এর মধ্যে 3) একটি প্রয়োজনীয় আয়তনে পরিণত হয়, যেমন, যদি টিডিকে-ইপিসিওএস B43508 সিরিজ ব্যবহার করা হয়। বিপরীতে, ফিল্ম ক্যাপাসিটরগুলি অব্যবহারিকভাবে বড় হবে, যদি TDK-EPCOS B32678 সিরিজ ব্যবহার করা হয় তাহলে 1,500 cm3 (অর্থাৎ, 3 তে 91) এর সমান্তরালে সম্ভবত 15 প্রয়োজন। পার্থক্যটি সুস্পষ্ট, কিন্তু যদি ক্যাপাসিটরের ডিসি লাইনে রিপল ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করার প্রয়োজন হয় তবে পছন্দটি পরিবর্তিত হবে। একটি অনুরূপ উদাহরণ নিন যেখানে 400-V বাস ভোল্টেজ একটি ব্যাটারি থেকে, তাই ধরে রাখার প্রয়োজন নেই। যাইহোক, 20 kHz এ একটি ডাউনস্ট্রিম কনভার্টার দ্বারা নেওয়া 80 A rms উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কারেন্ট ডাল থেকে 4 V রুট মানে বর্গক্ষেত্র (rms) এ রিপল প্রভাব কমাতে হবে। এটি একটি বৈদ্যুতিক গাড়ির অ্যাপ্লিকেশন হতে পারে, এবং প্রয়োজনীয় ক্যাপাসিট্যান্সটি 450 V রেটিং এ C=irms/Vrippe.2.Π.f=80/4*2*3.14*20*1000=160 uF থেকে আনুমানিক করা যেতে পারে।
ডুমুর 6 একটি যাত্রার জন্য ক্যাপাসিটর (ধরে রাখুন)। এইচভিডিসি: উচ্চ-ভোল্টেজ ডিসি।
180 µF, 450 V-এ একটি ইলেক্ট্রোলাইটিক 60 °C তাপমাত্রায় মাত্র 3.5 A rms এর রিপ্লেকারেন্ট রেটিং থাকতে পারে, ফ্রিকোয়েন্সি সংশোধন (EPCOS B43508 সিরিজ) সহ। এইভাবে, 80 A-এর জন্য, 23টি ক্যাপাসিটারের সমান্তরালভাবে প্রয়োজন হবে, একটি অপ্রয়োজনীয় 4,140 µF তৈরি করবে যার মোট আয়তন 1,200 cm3 (অর্থাৎ, 3 এর মধ্যে 73)। এটি ইলেক্ট্রোলাইটিক্সের জন্য কখনও কখনও উদ্ধৃত 20 mA/µF রিপল-কারেন্ট রেটিং মেনে চলে। যদি ফিল্ম ক্যাপাসিটার বিবেচনা করা হয়, এখন, সমান্তরাল থেকে মাত্র চারটি EPCOS B32678 সিরিজ 402 cm3 ভলিউমে 132-A rms রিপল-কারেন্ট রেটিং দেয় (অর্থাৎ, 3 এর মধ্যে 24.5)। যদি তাপমাত্রা সীমাবদ্ধ থাকে, যেমন, 70 °C পরিবেষ্টনের কম, তাহলে একটি ছোট কেস সাইজ এখনও বেছে নেওয়া যেতে পারে। এমনকি যদি আমরা অন্যান্য ভিত্তিতে ইলেক্ট্রোলাইটিক্স বেছে নিই, তবে অতিরিক্ত ক্যাপাসিট্যান্স অন্যান্য সমস্যার কারণ হতে পারে, যেমন ইনরাশ কারেন্টে শক্তি নিয়ন্ত্রণ করা। অবশ্যই, যদি ক্ষণস্থায়ী ওভারভোল্টেজগুলি ঘটতে পারে, তবে ফিল্ম ক্যাপাসিটারগুলি প্রয়োগে আরও শক্তিশালী হবে। এর একটি উদাহরণ হবে হালকা ট্র্যাকশনে, যেখানে একটি ক্যাটেনারির সাথে বিরতিহীন সংযোগ ডিসি-লিঙ্ক সংযোগে ওভারভোল্টেজ সৃষ্টি করে।
এই উদাহরণটি আজকের অনেক পরিবেশের আদর্শ, যেমন নিরবচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ ব্যবস্থা, বায়ু এবং সৌর শক্তি, ঢালাই এবং গ্রিড-যুক্ত ইনভার্টারে। ফিল্ম এবং আল ইলেক্ট্রোলাইটিক্সের মধ্যে খরচের পার্থক্যগুলি 2013 সালে প্রকাশিত পরিসংখ্যানগুলিতে সংক্ষিপ্ত করা যেতে পারে [2]। সংশোধিত 440 Vac থেকে একটি dc-বাসের সাধারণ খরচ সারণি 1 এ পাওয়া যাবে।
অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনগুলি ডিকপলিং এর জন্য এবং স্নাবার সার্কিট কনভার্টার বা ইনভার্টারে। এখানে, ফিল্ম/ফয়েল নির্মাণ ব্যবহার করা উচিত যদি আকার অনুমতি দেয়, কারণ ধাতব ধরনের বিশেষ নকশা এবং উত্পাদন পদক্ষেপের প্রয়োজন হয়। ডিকপলিং হিসাবে, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কারেন্ট সঞ্চালনের জন্য একটি কম ইন্ডাকট্যান্স পাথ প্রদান করার জন্য ক্যাপাসিটরটি ডিসি বাস জুড়ে স্থাপন করা হয়, সাধারণত 1 µF প্রতি 100 A সুইচ করা হয়। ক্যাপাসিটর ব্যতীত, কারেন্ট উচ্চ-ইন্ডাকট্যান্স লুপের মাধ্যমে সঞ্চালিত হয়, যার ফলে নিম্নোক্ত অনুযায়ী ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজ (Vtr) হয়: Vtr =-Ldi/dt।
1,000 A/µs এর বর্তমান পরিবর্তন সম্ভব হওয়ায়, কিছু ন্যানোহেনরি ইন্ডাকট্যান্স উল্লেখযোগ্য ভোল্টেজ তৈরি করতে পারে। প্রিন্টেড-সার্কিট-বোর্ড ট্রেসে প্রায় 1 nH/মিমি ইন্ডাকট্যান্স থাকতে পারে, তাই এই পরিস্থিতিতে মোটামুটি 1 Vtr/mm প্রদান করে। এইভাবে, সংযোগগুলি যতটা সম্ভব ছোট হওয়া গুরুত্বপূর্ণ। সুইচ জুড়ে dV/dt নিয়ন্ত্রণ করার জন্য, ক্যাপাসিটর এবং একটি প্রতিরোধক/ডায়োড নেটওয়ার্কের সাথে সমান্তরালভাবে স্থাপন করা হয় আইজিবিটি বা MOSFET (চিত্র 7)।
এটি রিংকে ধীর করে দেয়, ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক ইন্টারফারেন্স (ইএমআই) নিয়ন্ত্রণ করে এবং উচ্চতার কারণে জাল সুইচিং প্রতিরোধ করে
ডুমুর 7 সুইচ snubbing. ডুমুর 8 ইএমআই দমন হিসাবে ফিল্ম ক্যাপাসিটর. ডুমুর 9 মোটর-ড্রাইভ EMC ফিল্টারিং ফিল্ম ক্যাপাসিটার.
dV/dt, বিশেষ করে IGBT-তে। একটি প্রারম্ভিক বিন্দু প্রায়শই স্নাবার ক্যাপ্যাসিট্যান্সকে সুইচ আউটপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স এবং মাউন্টিং ক্যাপাসিট্যান্সের যোগফলের প্রায় দ্বিগুণ করে, এবং তারপরে রোধকে বেছে নেওয়া হয় যে কোনও রিংকে সমালোচনামূলকভাবে স্যাঁতসেঁতে করার জন্য। আরো সর্বোত্তম নকশা পদ্ধতি প্রণয়ন করা হয়েছে.
ডিফারেনশিয়াল মোড ইএমআই (চিত্র 8) কমাতে প্রায়শই পাওয়ার লাইন জুড়ে সেফটি-রেটেড পলিপ্রোপিলিন ক্যাপাসিটার ব্যবহার করা হয়। ক্ষণস্থায়ী ওভারভোল্টেজ সহ্য করার এবং স্ব-নিরাময় করার তাদের ক্ষমতা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এই অবস্থানের ক্যাপাসিটারগুলিকে X1 বা X2 হিসাবে রেট দেওয়া হয়েছে, যা যথাক্রমে 4- এবং 2.5-কেভি ট্রানজিয়েন্ট সহ্য করতে পারে। উচ্চ শক্তির স্তরে সাধারণ ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক সামঞ্জস্য (EMC) মানগুলির সাথে সম্মতি অর্জনের জন্য ব্যবহৃত মানগুলি প্রায়শই মাইক্রোফ্যারাডে থাকে। ফিল্ম ওয়াই-টাইপ ক্যাপাসিটারগুলি লাইন-টু-আর্থ পজিশনেও ব্যবহার করা যেতে পারে সাধারণ মোডের শব্দ কমানোর জন্য যেখানে সিএ প্যাসিট্যান্স মান ফুটো বর্তমান বিবেচনার কারণে সীমিত (চিত্র 8)। Y1 এবং Y2 সংস্করণ যথাক্রমে 8- এবং 5-kV ক্ষণস্থায়ী রেটিং-এর জন্য উপলব্ধ। ফিল্ম ক্যাপাসিটর এর কম সংযোগ inductances এছাড়াও স্ব-অনুরণন উচ্চ রাখতে সাহায্য করে।
ননপোলারাইজড ক্যাপাসিটরগুলির জন্য একটি ক্রমবর্ধমান প্রয়োগ হল ড্রাইভ এবং ইনভার্টারগুলির এসি আউটপুটে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি হারমোনিক্স কমানোর জন্য সিরিজ ইন্ডাক্টর সহ লো-পাস ফিল্টার তৈরি করা (চিত্র 9)। পলিপ্রোপিলিন ক্যাপাসিটারগুলি প্রায়শই তাদের নির্ভরযোগ্যতা, উচ্চ রিপল-কারেন্ট রেটিং এবং প্রয়োগে ভাল ভলিউম্যাট্রিক দক্ষতার জন্য ব্যবহৃত হয় এবং ইনডাক্টর এবং ক্যাপাসিটরগুলি প্রায়শই একটি মডিউলে একসাথে প্যাকেজ করা হয়। মোটরগুলির মতো লোডগুলি প্রায়শই ড্রাইভ ইউনিট থেকে দূরে থাকে এবং ফিল্টারগুলি সিস্টেমগুলিকে EMC প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করতে এবং অত্যধিক dV/dt স্তর থেকে ক্যাবলিং এবং মোটরগুলির উপর চাপ কমাতে সক্ষম করতে ব্যবহৃত হয়৷
